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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
10.6
13.4
写入速度,GB/s
6.8
6.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2045
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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