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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
32
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
8500
左右 2.75 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
32
读取速度,GB/s
10.6
15.7
写入速度,GB/s
6.8
14.9
内存带宽,mbps
8500
23400
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3368
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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