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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
56
读取速度,GB/s
10.6
9.3
写入速度,GB/s
6.8
7.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2200
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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