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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
85
左右 65% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
85
读取速度,GB/s
10.6
13.2
写入速度,GB/s
6.8
9.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1838
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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