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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.4
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3155
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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