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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3155
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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