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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 46% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
56
读取速度,GB/s
10.6
18.7
写入速度,GB/s
6.8
8.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2235
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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