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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
30
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
24
读取速度,GB/s
10.6
15.0
写入速度,GB/s
6.8
11.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2370
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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