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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
48
读取速度,GB/s
11.1
8.9
写入速度,GB/s
8.2
5.9
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
1420
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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