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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
7.2
16.3
写入速度,GB/s
3.0
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2999
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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