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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.8
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
11.0
21.8
写入速度,GB/s
7.2
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
3788
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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