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Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

总分
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Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

总分
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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 67
    左右 -116% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 3.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    67 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    5.4 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    3.6 left arrow 11.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    644 left arrow 3130

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB RAM的比较

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