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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO 4GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs INTENSO 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
14.2
12.1
写入速度,GB/s
13.6
9.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2061
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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