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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
2,936.9
18.2
写入速度,GB/s
1,884.0
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3389
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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