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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2942
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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