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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
42
读取速度,GB/s
15.1
12.7
写入速度,GB/s
11.3
10.9
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2631
2715
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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