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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
比较
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.2
19.9
写入速度,GB/s
12.9
13.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3100
3271
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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