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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
比较
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
总分
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
总分
Super Talent F24UB16GV 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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需要考虑的原因
Super Talent F24UB16GV 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
6.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
3.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
24
读取速度,GB/s
6.9
16.0
写入速度,GB/s
3.8
13.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
865
3046
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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