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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
比较
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Kingston 9965669-019.A00G 16GB
总分
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
总分
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
8.2
11.6
写入速度,GB/s
6.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1718
2517
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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