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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
总分
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
6.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
8.2
12.2
写入速度,GB/s
6.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1718
2449
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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