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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
总分
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
6.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M393B1K70CHD-YH9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
8.2
12.2
写入速度,GB/s
6.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1718
2449
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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