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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
9.8
17.1
写入速度,GB/s
8.2
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
3742
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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