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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
64
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
64
读取速度,GB/s
11.6
16.6
写入速度,GB/s
7.3
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2065
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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