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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
64
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
64
读取速度,GB/s
10.7
17.0
写入速度,GB/s
6.8
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2103
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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