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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
12.3
16.3
写入速度,GB/s
8.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2763
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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