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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
12.3
16.3
写入速度,GB/s
8.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2763
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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