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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
8.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3529
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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