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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
37
读取速度,GB/s
9.8
13.9
写入速度,GB/s
7.2
9.9
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2389
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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INTENSO 5641162 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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