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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.6
17.4
写入速度,GB/s
8.2
17.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
3714
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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