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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
11.7
19.3
写入速度,GB/s
8.0
16.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
3733
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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