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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3675
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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