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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
11.7
10.3
写入速度,GB/s
8.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2235
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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