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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

总分
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

总分
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 44
    左右 -83% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.3 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 12.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1977 left arrow 2517

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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