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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,723.5
16.6
写入速度,GB/s
2,076.1
14.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3415
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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