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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,723.5
16.4
写入速度,GB/s
2,076.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2723
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
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