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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
9.8
18.7
写入速度,GB/s
8.1
12.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3153
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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