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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
59
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
52
读取速度,GB/s
4,723.5
15.8
写入速度,GB/s
2,076.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2625
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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