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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston 9905678-028.A00G 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
59
左右 -146% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
24
读取速度,GB/s
4,723.5
15.9
写入速度,GB/s
2,076.1
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2725
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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