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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
5,082.2
16.9
写入速度,GB/s
2,381.6
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3196
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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