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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
60
左右 -62% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
37
读取速度,GB/s
5,082.2
13.9
写入速度,GB/s
2,381.6
10.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2507
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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