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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
60
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
34
读取速度,GB/s
5,082.2
19.7
写入速度,GB/s
2,381.6
16.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3700
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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