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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
29
读取速度,GB/s
5,082.2
19.2
写入速度,GB/s
2,381.6
15.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3400
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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