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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
14,740.4
18.4
写入速度,GB/s
8,883.4
14.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3525
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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