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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
12.3
17.6
写入速度,GB/s
7.3
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3635
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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