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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
70
左右 -159% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
27
读取速度,GB/s
4,372.7
18.7
写入速度,GB/s
3,071.4
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3530
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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