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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
70
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
35
读取速度,GB/s
4,372.7
15.1
写入速度,GB/s
3,071.4
9.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2488
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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