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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
28
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
18
读取速度,GB/s
9.4
20.9
写入速度,GB/s
5.5
17.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3668
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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