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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
21
读取速度,GB/s
9.4
17.9
写入速度,GB/s
5.5
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3167
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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