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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
9.4
15.6
写入速度,GB/s
5.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2314
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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