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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
3,231.0
18.6
写入速度,GB/s
1,447.3
15.8
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3851
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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