RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
总分
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
50
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,457.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
33
读取速度,GB/s
3,757.3
17.5
写入速度,GB/s
1,457.4
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
557
3438
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM的比较
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link