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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
15.0
16.3
写入速度,GB/s
13.9
11.7
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3179
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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